新華網(wǎng)北京4月23日電 22日下午，國內自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片在首屆數(shù)字中國建設成果展覽會上亮相。該芯片是國家存儲器基地的核心項目。目前，芯片生產(chǎn)機臺已于4月11日正式進場安裝，有望于年內實現(xiàn)量產(chǎn)。

資料顯示，國家存儲器基地項目于2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資額為240億美元，位于武漢東湖高新區(qū)?；貙⒔ㄔO3座三維NAND Flash生產(chǎn)廠房。目前，項目一期已建成，首批32層三維NAND閃存芯片將于年底前實現(xiàn)量產(chǎn)。業(yè)內人士分析，該芯片將填補我國主流存儲器領域空白。

對此，紫光集團董事長趙偉國表示，“‘數(shù)字中國’的建設，離不開從芯到云的核心技術產(chǎn)品支撐。紫光集團秉承自主創(chuàng)新+國際合作的企業(yè)創(chuàng)新驅動戰(zhàn)略，將企業(yè)的發(fā)展重心與國家戰(zhàn)略實現(xiàn)相結合；致力于為企業(yè)及互聯(lián)網(wǎng)應用提供所需要的芯片、計算、網(wǎng)絡、存儲等核心技術，以及云計算解決方案及能力?！?/p>

除了NAND閃存芯片，在此次會上，紫光集團還展出了應用了Flash技術的SIM卡芯片，通過國際CC EAL5+認證的金融IC卡芯片THD88雙界面模塊、國產(chǎn)自主產(chǎn)權千萬門級高性能FPGA紫光同創(chuàng)PGT180H等多款移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)等芯片。紫光集團披露信息顯示，在芯片板塊，紫光集團已經(jīng)集合了芯片設計、生產(chǎn)、制造、封測、銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈，將打造集成電路產(chǎn)業(yè)集群。